มีรายงานว่า HUAWEI และ Xiaomi กำลังพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีความหน่วงต่ำแบบใหม่ที่เรียกว่า LLW (Low-Latency Wide DRAM) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมหน่วยความจำใหม่ที่สร้างขึ้นสำหรับช่วยปรับปรุงการทำงานของ AI บนสมาร์ทโฟนได้อย่างมาก
เทคโนโลยี Low Latency Wide I/O (LLW) นำแนวคิดมาจาก HBM ซึ่งเป็นหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์ AI แต่ได้รับการออกแบบใหม่สำหรับสมาร์ทโฟนโดยไม่มีปัญหาเรื่องขนาด การบรรจุ และความร้อนที่มาพร้อมกับ HBM
เทคโนโลยีนี้จะช่วยให้การส่งข้อมูลระหว่างโปรเซสเซอร์และหน่วยความจำเร็วขึ้น ลดความหน่วง และทำให้โมเดล AI ได้รับข้อมูลอย่างต่อเนื่องแทนที่จะรอหน่วยความจำ
การประมาณการจากอุตสาหกรรมชี้ให้เห็นว่าอาจลดการใช้พลังงานได้ถึง 50% และมีประสิทธิภาพดีขึ้นประมาณ 1.5 เท่า
เทคโนโลยีนี้จะมีประโยชน์อย่างยิ่งเมื่อโมเดล AI บนอุปกรณ์มีขนาดใหญ่ขึ้นและมีความสามารถมากขึ้น ซึ่งแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำมีความสำคัญพอๆ กับพลังการประมวลผล
สรุปสาระสำคัญของเทคโนโลยี DRAM LLW
• อาจเข้ามาแทนที่หน่วยความจำ LPDDR แบบดั้งเดิมในสมาร์ทโฟนที่เน้น AI ในอนาคต
• แก้ปัญหาคอขวดที่สำคัญที่สุดของ AI บนสมาร์ทโฟน คือ แบนด์วิดท์และความหน่วง
• ใช้การออกแบบที่ได้รับแรงบันดาลใจจาก HBM ในขณะที่ยังคงขนาดและข้อจำกัดด้านความร้อนของสมาร์ทโฟนไว้
• ในทางทฤษฎีแล้วประหยัดพลังงานได้ถึง 50% และประสิทธิภาพดีขึ้น 1.5 เท่า
• อาจช่วยให้โมเดล AI ขนาดใหญ่ทำงานบนสมาร์ทโฟนได้โดยตรง (AI On Device)
การวางจำหน่ายในเชิงพาณิชย์ในวงกว้างยังคงต้องใช้เวลาอีกระยะหนึ่ง แต่คาดว่าจะมีความคืบหน้าครั้งสำคัญในช่วงครึ่งหลังของปี 2027
Source : Tech Ultimatum
Article By : โลกไอทีวันนี้