เจาะลึกชิปเซ็ต Kirin 9000s บน HUAWEI Mate 60 Pro เผยความก้าวหน้าของอุตสาหกรรมการผลิตชิปในประเทศจีน !!!! โดย SMIC เทคโนโลยี N+2 7 นาโนเมตร และ มีโมเด็ม 5G ซ่อนอยู่จริง !!!!

TechInsights ได้ตรวจสอบ HUAWEI Mate 60 Pro ในห้องทดลอง ณ เมืองออตตาวา ประเทศแคนาดา เพื่อต้องการยืนยันว่าโปรเซสเซอร์ใช้กระบวนการผลิตเจนเนอเรชั่นล่าสุดของ SMIC ที่เรียกว่า N+2 7nm ซึ่งเป็นการพัฒนาที่สำคัญสำหรับการผลิตในประเทศจีนเองจริงๆ

🔴 ประเด็นสำคัญจากการวิเคราะห์ของ TechInsights

- การเพิ่มขนาดโปรเซสเซอร์ : ชิป Kirin 9000s วัดได้ 107 มม.² ซึ่งใหญ่กว่าเล็กน้อย (2%) เมื่อเทียบกับชิป Kirin 9000 (105 มม.²) ข้อมูลนี้ทำให้สรุปได้ว่า SMIC เป็นผู้ผลิตจริงๆ ไม่ใช่ TSMC

- เทคโนโลยีขั้นสูง : ผลห้องปฏิบัติการเบื้องต้นระบุว่า SoC นี้มีความก้าวหน้ามากกว่าโหนดกระบวนการ 14 นาโนเมตร ของ SMIC เดิม แต่มี critical dimensions (CDs) ที่ใหญ่กว่าที่เห็นในกระบวนการ 5 นาโนเมตร

- คุณสมบัติ 7 นาโนเมตร : การวัดเพิ่มเติมเกี่ยวกับขนาด critical dimensions ของ SoC รวมถึงระยะพิทช์ของลอจิกเกต และระยะพิทช์ของการเคลือบโลหะด้านหลัง (BEOL) แสดงให้เห็นว่า SoC มีคุณสมบัติในระดับ 7 นาโนเมตรจริงๆ

และต่างจากเทคโนโลยี N+1 7 นาโนเมตรรุ่นก่อนตรงที่กระบวนการ N+2 7 นาโนเมตร นำเสนอความสามารถในการผลิตชิปที่ได้รับการปรับปรุงมากขึ้น

อีกทั้งนี่ยังเป็นการใช้เชิงพาณิชย์ครั้งแรกของโหนดเทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูงของจีนที่รองรับบิตเซลล์ (SRAM แบบฝัง) ซึ่งปูทางไปสู่การออกแบบ SoC ขั้นสูงและระบบนิเวศการผลิตในประเทศโดยสมบูรณ์

Dan Hutcheson รองประธาน TechInsights แสดงความคิดเห็นเกี่ยวกับการค้นพบนี้ว่า

"การค้นพบชิป Kirin ในสมาร์ทโฟน Huawei Mate 60 Pro ใหม่ ซึ่งผลิตโดยใช้กระบวนการผลิตขนาด 7 นาโนเมตร (N+2) ของ SMIC ถือเป็นข้อพิสูจน์ถึงความก้าวหน้าทางเทคนิคและความยืดหยุ่นของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ภายในประเทศจีน แม้ว่าจะไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีในการผลิตชิปเซ็ตแบบ EUV lithography tools ได้ก็ตาม"

"ความสำเร็จนี้ก่อให้เกิดความท้าทายที่สำคัญสำหรับประเทศต่างๆ ที่พยายามจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตที่สำคัญของจีน และอาจส่งผลให้เกิดข้อจำกัดที่มากยิ่งขึ้นในอนาคต"

อีกทั้งการ Tearsdown ชิปเซ็ต Kirin 9000S ยังพบบางอย่างที่น่าประหลาดใจ ,เช่น โมเด็ม 5G, ISP, DSP + NPU (พร้อม Ascend lite/คอร์ขนาดเล็ก + TPU) ทั้งหมดนี้ถูกบีบลงใน 110mm2 die SoC โดยไม่มีการวางซ้อนเหมือนกับ Kirin 9000 (ซึ่งมีทรานซิสเตอร์ 140m/mm2)

และประสิทธิภาพของ CPU โดยรวม + การใช้พลังงาน ดีกว่า Kirin 9000 และ Snapdragon 888

Source : FoneArena
Article By : โลกไอทีวันนี้